參數(shù)資料
型號: 2SC5597
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
中文描述: 22 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 54K
代理商: 2SC5597
2SC5597
Power Transistors
2
P
C
T
a
Area of safe operation (ASO)
Area of safe operation,
horizontal operation ASO
250
200
150
100
50
00
50
25
75
100
125
150
(1)
(2)
(3)
P
C
=
3.5 W
P
C
=
12 W
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
(1)T
=
T
(2)With a 100
×
100
×
2 mm
3
Al heat sink
(3)Without heat sink
0.001
0.003
0.1
0.03
1
2
5
0.01
0.3
10
1
3
30
100
10 20
50 100 200 500
I
CP
I
C
D
C
t
=
100
μ
s
t
=
1 ms
t
=
10 ms
Non repetitive pulse
T
C
=
25
°
C
C
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
35
30
25
20
15
10
5
00
1 000
500
1 500
2 000
C
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
f
=
64 kHz, T
<
90
°
C
Area of safe operation for
the single pulse load curve
due to discharge in the high-
voltage rectifier tube during
horizontal operation
< 1 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
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