參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3506
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching)
中文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SC-92,TOP-3F-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SC3506
2
Power Transistors
2SC3506
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
160
120
40
100
140
80
20
60
(1)
(3)
(2)
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3.0W)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
5
4
3
2
1
T
C
=25C
200mA
150mA
100mA
50mA
20mA
400mA
I
B
=800mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
30
10
1
0.3
Collector current I
C
(A)
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=5
–25C
25C
T
=100C
C
C
0.1
30
10
1
0.3
Collector current I
C
(A)
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=5
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
T
C
=100C
V
CE
=5V
–25C
25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=5V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
0
8
2
6
4
7
1
Collector current I
C
(A)
5
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
f
t
on
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=5
(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=250V
T
C
=25C
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t=10ms
I
CP
I
C
1s
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3507 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC3514 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1383 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC3515 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER, CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL APPLICATIONS)
2SC3527 Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type
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參數(shù)描述
2SC3507 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 5A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3510 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9220V .05A .6W BEC
2SC3512 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92
2SC3518 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SC-6460C 5A 10W BCE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC3518-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,NPN,60V/5A 制造商:Renesas 功能描述:0
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