參數(shù)資料
型號： 2PB709AR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2PB709AR
DATA SHEET
Product specification
2002 Jun 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB709AW
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料
PDF描述
2PB709AS PNP general purpose transistor
2PB710 TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR
2PC1815BLAMO TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92
2PC1815GRAMO 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2PC1815LBL TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2PB709AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
2PB709ARL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 100MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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