參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6520RLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： 2N6520RLRE
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520
http://onsemi.com
99
Figure 1. DC Current Gain – NPN 2N6515
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
200
100
20
30
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
Figure 2. DC Current Gain – NPN 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
200
100
10
20
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70
100
20
30
50
70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
10
100
20
30
50
70
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
TJ = 25°C
VCE = -20 V
f = 20 MHz
30
200
100
10
20
50
70
30
Figure 3. DC Current Gain – PNP 2N6520
Figure 4. Current–Gain – Bandwidth Product – NPN
2N6515, 2N6517
Figure 5. Current–Gain – Bandwidth Product – PNP
2N6520
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6520ZL1 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1370C 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SA1370D 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SA1370F 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SC3467 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6520STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6521 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | CAN
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