參數(shù)資料
型號： 2N6520RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： 2N6520RL
NPN 2N6515 2N6517 PNP 2N6520
http://onsemi.com
102
Figure 16. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
10k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
t, TIME (ms)
Figure 17. Thermal Response
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(mA)
0.5 1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
500
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Active Region Safe Operating Area
Design Note: Use of Transient Thermal Resistance Data
FIGURE A
tP
PP
t1
1/f
DUTY CYCLE + t1 f +
t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
TA = 25°C
1.0 ms
10 s
TC = 25°C
100 s
100 ms
+10.8 V
-9.2 V
+VCC
2.2 k
20 k
50
50 SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
VCC ADJUSTED
FOR VCE(off) = 100 V
APPROXIMATELY
-1.35 V
(ADJUST FOR V(BE)off = 2.0 V)
PULSE WIDTH ≈ 100 s
tr, tf ≤ 5.0 ns
DUTY CYCLE ≤ 1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
ZθJC(t) = r(t) RθJC TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
ZθJA(t) = r(t) RθJA TJ(pk) - TA = P(pk) ZθJA(t)
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
(PULSE CURVES @ TC = 25°C)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
CURVES APPLY
BELOW RATED VCEO
2N6515
2N6517, 2N6520
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PDF描述
2N6520RLRE 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6520ZL1 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1370C 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
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2SA1370F 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
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2N6520RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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