GBU808

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功能描述
橋式整流器 8.0A 800V
RoHS
否
制造商
Vishay
產(chǎn)品
Single Phase Bridge
峰值反向電壓
1000 V
最大 RMS 反向電壓
正向連續(xù)電流
4.5 A
最大浪涌電流
450 A
正向電壓下降
1 V
最大反向漏泄電流
10 uA
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
長度
30.3 mm
寬度
4.1 mm
高度
20.3 mm
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
SIP-4
封裝
Tube

GBU808 技術(shù)參數(shù)

GBU806TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:單相技術(shù):標準電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應(yīng)商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU806GTB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:單相技術(shù):標準電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應(yīng)商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU6J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - DC 正向（If）:6A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-SIP，GBU 供應(yīng)商器件封裝:GBU 標準包裝:500 GBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:100V 電流 - DC 正向（If）:6A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-SIP，GBU 供應(yīng)商器件封裝:GBU 標準包裝:500 GBU610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:單相技術(shù):標準電壓 - 峰值反向（最大值）:1kV 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:4-ESIP 供應(yīng)商器件封裝:GBU 標準包裝:20 GBU8A-E3/45 GBU8A-E3/51 GBU8A-M3/45 GBU8A-M3/51 GBU8B GBU8B-BP GBU8B-E3/45 GBU8B-E3/51 GBU8B-M3/45 GBU8B-M3/51 GBU8D GBU8D-BP GBU8D-E3/45 GBU8D-E3/51 GBU8D-M3/45 GBU8D-M3/51 GBU8G GBU8G-BP