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2SK3475

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  • 制造商
  • TOSHIBA
  • 制造商全稱
  • Toshiba Semiconductor
  • 功能描述
  • Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications
2SK3475 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3466(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):780pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-97 供應(yīng)商器件封裝:TFP(9.2x10.7) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 2SK3462(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):267pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2SK3431-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3431-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J
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