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2SJ668(Q)

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • ORIGINAL

  • 最新批號

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  • 代理此型號，原裝特價現(xiàn)貨！

  • 2SJ668(Q)
    2SJ668(Q)

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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • TOSHIBA/東芝

  • TO-251

  • 0749+

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

  • 2SJ668(Q)
    2SJ668(Q)

    2SJ668(Q)

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • TOSHIBA/東芝

  • TO-251

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • 2SJ668(Q)
    2SJ668(Q)

    2SJ668(Q)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 134383

  • TOSHIBA

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin (2+Tab) PW-Mold Cut Tape
2SJ668(Q) 技術參數(shù)
  • 2SJ665-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262-3 標準包裝:50 2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75.5 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L
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