2SCR372P5T100R

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說明
操作

2SCR372P5T100R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現(xiàn)貨電話010-621049...

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功能描述
NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV
制造商
rohm semiconductor
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
700mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
120V
不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）
300mV @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
1μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
120 @ 100mA，5V
功率 - 最大值
500mW
頻率 - 躍遷
220MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應(yīng)商器件封裝
MPT3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

2SCR372P5T100R 技術(shù)參數(shù)

2SCR372P5T100Q 功能描述:NPN 120V 700MA MEDIUM POWER DRIV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:220MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR346PT100Q 功能描述:NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR346PT100P 功能描述:NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR293PT100 功能描述:TRANS NPN 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SCR293PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100 2SCR533PFRAT100 2SCR533PT100

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