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2SA949-Y,ONK-1F(M

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2SA949-Y,ONK-1F(M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 50mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 150V
  • 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)
  • 800mV @ 1mA,10A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 70 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 800mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 120MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SA949-Y,ONK-1F(M 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA949-Y,ONK-1F(J 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA949-Y,F(J 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA949-Y(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA949-Y(T6SHRP,FM 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA949-Y(T6ONK1,FM 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SAR293PFRAT100 2SAR293PT100 2SAR340PT100P 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL 2SAR512P5T100 2SAR512PFRAT100 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100 2SAR513PFRAT100 2SAR513PT100 2SAR513RTL 2SAR514P5T100 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL
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