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2SA1315-Y,T6ASNF(J

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2SA1315-Y,T6ASNF(J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP 2A 80V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 2A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 80V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 500mV @ 50mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 70 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 80MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標準包裝
  • 1
2SA1315-Y,T6ASNF(J 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA1315-Y,HOF(M 功能描述:TRANS PNP 2A 80V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA1313-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1313-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1312GRTE85LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1312-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H 2SA1419T-TD-E 2SA1419T-TD-H 2SA1425-Y,T2F(J 2SA1428-O,T2CLAF(J 2SA1428-O,T2CLAF(M 2SA1428-O,T2WNLF(J 2SA1428-Y(T2TR,A,F 2SA1428-Y,T2F(J 2SA1428-Y,T2F(M 2SA1429-Y(T2OMI,FM 2SA1429-Y(T2TR,F,M
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