2NB2

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2NB2 技術(shù)參數(shù)

2N9C 功能描述:SPIRALWRAP .250''DIAMETER,100FT/ 制造商:hellermanntyton 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 2N930UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N930A 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N930 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應(yīng)商器件封裝:UB 標準包裝:1 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA 2P1216 2P1298 2P1384 2P1419