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2N7635-GA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N7635-GA
    2N7635-GA

    2N7635-GA

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5

  • GENESIC S

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2N7635-GA
    2N7635-GA

    2N7635-GA

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • GeneSiC Semiconductor

  • TRANS SJT 650V 4A TO

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
2N7635-GA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N7635-GA 技術參數(shù)
  • 2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:4 個 P 通道 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):750mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7334 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 600mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-267AB 供應商器件封裝:TO-267AB 標準包裝:1 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES
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