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2N7002E-TI-E3

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  • 2N7002E-TI-E3
    2N7002E-TI-E3

    2N7002E-TI-E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • VISHAY/(SI)SILICONIX

  • SMD(貼片)

  • 2007

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2N7002E-TI-E3
    2N7002E-TI-E3

    2N7002E-TI-E3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • SOT23

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 2N7002E-TI-E3
    2N7002E-TI-E3

    2N7002E-TI-E3

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 1825

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  • sot23

  • 1539+

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2N7002E-TI-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
2N7002E-TI-E3 技術參數
  • 2N7002ET3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:10,000 2N7002E-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002ET1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:1 2N7002E-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21pF @ 5V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:1 2N7002E-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH
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