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2N4123TA

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  • 2N4123TA
    2N4123TA

    2N4123TA

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • FS

  • ★全新★

  • ●最新批號(hào)●

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2N4123TAR
    2N4123TAR

    2N4123TAR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FAIRCHILD

  • TO92

  • 最新批號(hào)

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  • 1
2N4123TA PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N4123TA 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4123RLRM 功能描述:TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4123BU 功能描述:TRANS NPN 30V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N4123 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N4119A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4119A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z 2N4126BU 2N4126TA 2N4126TAR 2N4126TF 2N4126TFR 2N4150 2N4150S
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