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2N307A

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
2N307A 技術參數(shù)
  • 2N3057A 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-46-3 標準包裝:1 2N3055HG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055H 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055G 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N3055AG 功能描述:TRANS NPN 60V 15A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 7A,15A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 4A,2V 功率 - 最大值:115W 頻率 - 躍遷:6MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2 2N336 2N336A 2N336ALT2 2N336AT2 2N336LT2 2N336T2 2N3390 2N3390_D75Z
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