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2N236B

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
2N236B 技術(shù)參數(shù)
  • 2N2369AUB 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:表面安裝 供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369AUA 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:表面安裝 供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369AU 功能描述:TRANS NPN 15V SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:表面安裝 供應(yīng)商器件封裝:SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N2369A 功能描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,350mV 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N2369 功能描述:NPN MED PWR HS TRANSISTOR 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 基本零件編號(hào):2N2369 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N2484UA 2N2484UB 2N2604 2N2605 2N2605UB 2N2639 2N2640 2N2641 2N2642 2N2643 2N2644 2N2652 2N2652A 2N2720 2N2721 2N2722 2N2811 2N2812
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