參數(shù)資料
型號： 1N957B
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Z-Diodes(穩(wěn)定電壓6.8V，穩(wěn)定電流20mA的硅齊納二極管)
中文描述： 硅的Z -二極管（穩(wěn)定電壓6.8V時，穩(wěn)定電流20mA的的硅齊納二極管）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 1N957B
1N957B...1N963B
Vishay Telefunken
Rev. A3, 13-Nov-98
1 (3)
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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1N957B Silicon Z-Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N957B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N957B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
1N957B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1ener Diode
1N957B/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:500 Milliwatt Hermetically Sealed Glass Silicon Zener Diodes
1N957B_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Zeners General Purpose Diodes
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