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1N962

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  • 制造商
  • JINANJINGHENG
  • 制造商全稱
  • Jinan Jingheng (Group) Co.,Ltd
  • 功能描述
  • 0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES
1N962 技術(shù)參數(shù)
  • 1N961BTR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N961B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N961B TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N961B BK 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8.5 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N961B 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N963B 1N963B BK 1N963B TR 1N963B_T50A 1N963B_T50R 1N963BTR 1N964A 1N964B 1N964B BK 1N964B TR 1N964B_T50A 1N964B_T50R 1N964BTR 1N965A 1N965B 1N965B BK 1N965B TR 1N965B_S00Z
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