1SS392 / R9

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1SS392 / R9 技術參數(shù)

1SS390TE61 功能描述:DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:35V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:900 毫歐 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:EMD2 標準包裝:1 1SS389-G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SOD523 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產(chǎn)品二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:-40°C ~ 100°C 標準包裝:1 1SS389,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 10V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS389,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):生命周期結束二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 10V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS388-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 50mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 10V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:8,000 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP 1SS401(TE85L,F) 1SS402TE85LF 1SS403,H3F 1SS404,H3F 1SS405,H3F