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1SS376 /D

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1SS376 /D 技術參數
  • 1SS375-TL-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3MCP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:肖特基 - 1 對串聯 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 電流 - 最大值:35mA 不同?Vr,F 時的電容:0.85pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:1 1SS374(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對串聯 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):10V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 1SS370TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS367,H3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):10V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:125°C(最大) 標準包裝:1 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:肖特基 - 1 對串聯 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 電流 - 最大值:35mA 不同?Vr,F 時的電容:0.85pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA
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