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1N6017UR-1

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    1N6017UR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • ZENER DIODE

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 51V 20% 500MW 2PIN DO-213AA - Bulk
1N6017UR-1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6017UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6017D 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6017C 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6017B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6017B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6019B 1N6019C 1N6019D 1N6019UR 1N6019UR-1 1N6020A 1N6020B 1N6020B BK 1N6020B TR 1N6020C 1N6020D 1N6020UR 1N6020UR-1 1N6021A 1N6021B 1N6021C 1N6021D 1N6021UR
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