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1N6006B TR

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 18V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 18V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 42 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 14V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1.5V @ 100mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 10,000
1N6006B TR 技術參數(shù)
  • 1N6006B BK 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6006B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):42 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6006A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6005UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6005UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N6007B_T50A 1N6007B_T50R 1N6007B-TP 1N6007C 1N6007D 1N6007UR 1N6007UR-1 1N6008A 1N6008B 1N6008B_T50A 1N6008B_T50R 1N6008C 1N6008D 1N6008UR 1N6008UR-1 1N6009A 1N6009B 1N6009B BK
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