1N5629AE3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " 1N5629AE3 " 相關(guān)的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634

1N5629AE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5629AE3 技術(shù)參數(shù)

1N5629A 功能描述:TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:5.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.45V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:143A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5629 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5627-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5627-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:7.5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5627GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,400 1N5634A 1N5635 1N5635A 1N5636 1N5636A 1N5637 1N5637A 1N5637A/TR 1N5637AE3 1N5637AE3/TR 1N5638 1N5638A 1N5639 1N5639A 1N5640 1N5640A 1N5641 1N5641A