1N5276B-TP

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功能描述
DIODE ZENER 500MW 150V DO-35
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標準包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商設備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5276B-TP 技術參數(shù)

1N5276BDO35 功能描述:DIODE ZENER 150V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5276B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 150V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5276A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 150V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 108V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5276A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5275BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5278BUR-1 1N5279A 1N5279A (DO-35) 1N5279B 1N5279B (DO-35) 1N5279B TR 1N5279BDO35TR 1N5279BUR-1 1N5280A 1N5280A (DO-35) 1N5280B (DO-35) 1N5280BUR-1 1N5280DO35 1N5281A 1N5281A (DO-35) 1N5281B 1N5281B (DO-35) 1N5281BDO35TR