1N5268B BK

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功能描述
DIODE ZENER 82V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
82V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
330 歐姆
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
100nA @ 62V
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

1N5268B BK 技術(shù)參數(shù)

1N5268B AP 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5268B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5268A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 82V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:82V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:330 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 62V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5268A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5267C-TR 功能描述:DIODE ZENER 1.7A 75V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5269BUR-1 1N5270A 1N5270A (DO-35) 1N5270B (DO-35) 1N5270BDO35 1N5270B-TP 1N5270BUR-1 1N5271A 1N5271A (DO-35) 1N5271B (DO-35) 1N5271BDO35 1N5271B-TP 1N5271BUR-1 1N5272A 1N5272A (DO-35) 1N5272B (DO-35) 1N5272BDO35 1N5272BDO35E3