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1N5259B_T50A

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  • 1N5259B_T50A
    1N5259B_T50A

    1N5259B_T50A

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018

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  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 Zener Diode
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N5259B_T50A 技術參數(shù)
  • 1N5259B TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5259B BK 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5259B A0G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5259B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5259B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5259TA 1N5260A 1N5260A (DO-35) 1N5260B 1N5260B (DO-35) 1N5260B A0G 1N5260B BK 1N5260B TR 1N5260B_T50A 1N5260B_T50R 1N5260BDO35 1N5260BDO35E3 1N5260B-T 1N5260B-T50A 1N5260BTA 1N5260B-TAP 1N5260B-TP 1N5260B-TR
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