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1N5225B BK

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功能描述
DIODE ZENER 3V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
3V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
29 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
50μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
2,500

1N5225B BK 技術(shù)參數(shù)

1N5225B A0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5225B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5225B 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5225A (DO-35)TR 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5224C-TR 功能描述:DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5225BUR-1 1N5225C-TAP 1N5225C-TR 1N5225TA 1N5226A 1N5226A (DO-35) 1N5226B 1N5226B (DO-35) 1N5226B A0G 1N5226B BK 1N5226B TR 1N5226B_S00Z 1N5226B_T50R 1N5226B-G 1N5226B-T 1N5226BTA 1N5226B-TAP 1N5226B-TP