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1N4148(ROHS,AMMO,10K) D/C09, DO-35

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1N4148(ROHS,AMMO,10K) D/C09, DO-35 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4148 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4148 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4148 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD27 制造商:fairchild/micross components 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4135UR 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1500 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T 1N4148-T26A 1N4148-T50A 1N4148-T50R 1N4148T-72 1N4148T-73 1N4148T-77 1N4148TA 1N4148-TAP
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