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1N3070UR-1

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1N3070UR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SWITING 175V 0.1A 2PIN DO-213AA - Bulk
1N3070UR-1 技術參數(shù)
  • 1N3070TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1 1N3070-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3070_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N3070 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3064TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1 1N3156UR-1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R 1N3167 1N3167R 1N3168
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